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Si6966EDQ
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
30
V GS = 4.5 thru 3 V
2.5 V
30
24
18
12
6
0
2V
1.5 V
24
18
12
6
0
T C = 125 °C
25 °C
- 55 °C
0
2
4
6
8
10
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
0.10
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Output Characteristics
1200
V GS - Gate-to-Source Voltage (V)
Transfer Characteristics
C iss
0.08
900
0.06
600
0.04
V GS = 2.5 V
C oss
0.02
0.00
V GS = 4.5 V
300
0
C rss
0
6
12
18
24
30
0
4
8
12
16
20
4.5
I D - Drain Current (A)
On-Resistance vs. Drain Current
1.6
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Capacitance
3.6
2.7
1.8
0.9
0.0
V DS = 15 V
I D = 5.2 A
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
V GS = 4.5 V
I D = 5.2 A
0
3
6
9
12
15
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
Document Number: 70809
S-81221-Rev. C, 02-Jun-08
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
T J - Junction Temperature (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
www.vishay.com
3
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